Strict Standards: Declaration of plugins::input() should be compatible with db::input($string) in /home/c-pu.ru/data/www/c-pu.ru/includes/classes/plugins.php on line 0 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/c-pu.ru/data/www/c-pu.ru/includes/classes/class.inputfilter.php on line 194 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/c-pu.ru/data/www/c-pu.ru/includes/classes/class.inputfilter.php on line 195 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/c-pu.ru/data/www/c-pu.ru/includes/classes/class.inputfilter.php on line 194 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/c-pu.ru/data/www/c-pu.ru/includes/classes/class.inputfilter.php on line 195 27.07.2012/ Micron начала выпуск памяти с технологией фазового перехода - Лаунтер


27.07.2012/ Micron начала выпуск памяти с технологией фазового перехода

Компания Micron официально объявила о старте серийного выпуска памяти с технологией фазового перехода PCM, которую эксперты считают полноценной заменой флэш-памяти. На данный момент память будет выпускаться только для мобильных устройств. Во всем мире это первый продукт, реализованный при помощи данной технологии.

По словам представителей компании, память PCM значительно ускорит время загрузки различных устройств, позволит снизить энергозатраты, а также обеспечит повышенную надежность хранения данных и обеспечить высокую скорость записи данных. Интерфейс, связывающий память с чипом LPPDR2 полностью удовлетворяет всем требованиям JEDEC. На сегодняшний день это решение можно будет применять в многофункциональных телефонах, однако, уже в ближайшем будущем появится версия для планшетов и смартфонов.

На начальном этапе новый продукт, реализованный в 1,8-вольтовом компактном чипе, включает в себя 1 Гб памяти PCM технологии 45-нм, а также 512 Мбайт памяти стандарта DDR2. Работа PCM основана на тепловых процессах, которые генерируются электрическими цепями, используя их для смены состояния компонентов чипа. Фазовые переходы в этой технологии преобразуются в нули и единицы. Основным отличием от памяти типа флэш является стирание PCM-ячеек в рамках одного бита, а не блока, в результате чего запись осуществляется гораздо быстрее, а задержка отклика уменьшена в 20 раз.

Так же, как и NAND, применяемая в SSD-накопителях, память PCM принадлежит к классу энергонезависимой памяти, то есть, информация в ней будет сохранять и после того, как прекратится подача электрического тока. Но преимуществом перед памятью NAND является возможность записи новых данных без необходимости удаления предыдущей информации. Процесс стирания в NAND является обязательным, что снижает производительность и уменьшает срок службы.

В технологии фазового перехода ячейки образовываются путем объединения элемента для хранения данных с элементом переключения. Уже много лет различные компании пытаются применить данную технологию для реализации памяти, однако, нерешенной проблемой оставалось ограничение массивов для хранения данных по размерам и производительности из-за нескольких типов элементов переключения. В чипе от Micron обеспечивается 100 тысяч циклов записи со скоростью 400 Мб/сек.

Читайте также:

24.07.2012/ Microsoft презентовала новый пакет Office

Это интересно: Разное
г.Москва, Нагорный проезд, д.10 стр.9
email: c-pu.info@yandex.ru
Яндекс цитирования Рейтинг@Mail.ru